Name: FDS4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS4435BZTR-ND
Price: 1.16 USD
Availability: InStock

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FDS4435BZ
N.º de producto de DigiKey	FDS4435BZTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDS4435BZCT-ND - Cinta cortada (CT) FDS4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDS4435BZ
Descripción	MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	36 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDS4435BZ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±25V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1845 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 2.5W (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8.8A (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base FDS4435
Rds On (máx) @ Id, Vgs 20mOhm a 8.8A, 10V