Name: SPD15P10PGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD15P10PGBTMA1TR-ND
Price: 2.4 USD
Availability: InStock

SPD15P10PGBTMA1
N.º de producto de DigiKey	SPD15P10PGBTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SPD15P10PGBTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) SPD15P10PGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	SPD15P10PGBTMA1
Descripción	MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SPD15P10PGBTMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	240mOhm a 10.6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.1V a 1.54mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1280 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	128W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	SPD15P10

SPD15P10PGBTMA1