IRF7410TRPBF Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

IRF7410TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF7410TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF7410TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF7410TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF7410TRPBF
Descripción	MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 16A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF7410TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7mOhm a 16A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	91 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8676 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	IRF7410

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