Name: IRF6727MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6727MTRPBFTR-ND
Price: 2.9 USD
Availability: OutOfStock

IRF6727MTRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF6727MTRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF6727MTRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF6727MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF6727MTRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) DIRECTFET™ MX
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF6727MTRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	32A (Ta), 180A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.7mOhm a 32A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.35V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	74 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6190 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja (carcasa)	MX isométrico DirectFET™
Número de producto base	IRF6727

IRF6727MTRPBF