Name: IRF6717MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6717MTRPBFTR-ND
Price: 3.72 USD
Availability: InStock

IRF6717MTRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF6717MTRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF6717MTRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF6717MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF6717MTRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 25 V 38A (Ta), 200A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) DIRECTFET™ MX
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	38A (Ta), 200A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.25mOhm a 38A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.35V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	69 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6750 pF @ 13 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.8W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja (carcasa)	MX isométrico DirectFET™
Número de producto base	IRF6717

IRF6717MTRPBF