BSZ130N03MSGATMA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

BSZ130N03MSGATMA1
N.º de producto de DigiKey	BSZ130N03MSGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) BSZ130N03MSGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) BSZ130N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSZ130N03MSGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) PG-TSDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSZ130N03MSGATMA1 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	11.5mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1300 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSZ130

BSZ130N03MSGATMA1