Name: RQ3E120BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E120BNTBTR-ND
Price: 0.96 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RQ3E120BNTB
N.º de producto de DigiKey	RQ3E120BNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ3E120BNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ3E120BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3E120BNTB
Descripción	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ3E120BNTB Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.3mOhm a 12A, 10V	Número de producto base RQ3E120