Name: DMT10H015LCG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H015LCG-13-ND
Price: 0.38461 USD
Availability: OutOfStock

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DMT10H015LCG-13
N.º de producto de DigiKey	DMT10H015LCG-13-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT10H015LCG-13
Descripción	MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 9.4A (Ta), 3 4A (Tc) 1W (Ta) V-DFN3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMT10H015LCG-13 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.4A (Ta), 3 4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	33.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1871 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	V-DFN3333-8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	DMT10