Name: DMT10H015LCG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H015LCG-13-ND
Price: 0.52067 USD
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Diodes Incorporated

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DMT10H015LCG-13
N.º de producto de DigiKey	DMT10H015LCG-13-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT10H015LCG-13
Descripción	MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 9.4H (Ta), 34H (Tc) 1W (Ta) V-DFN3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMT10H015LCG-13 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33.3 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1871 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9.4H (Ta), 34H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor V-DFN3333-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 15mOhm a 20A, 10V	Número de producto base DMT10

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
DMT10H015LCG-7	Diodes Incorporated	445	31-DMT10H015LCG-7CT-ND	$1.83000	Equivalente paramétrico
IRFH5110TRPBF	Infineon Technologies	0	448-IRFH5110TRPBFTR-ND	$0.00000	Similar