Name: DMT10H015LCG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H015LCG-7TR-ND
Price: 1.83 USD
Availability: InStock

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DMT10H015LCG-7
N.º de producto de DigiKey	31-DMT10H015LCG-7TR-ND - Cinta y rollo (TR) 31-DMT10H015LCG-7CT-ND - Cinta cortada (CT) 31-DMT10H015LCG-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMT10H015LCG-7
Descripción	MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 9.4H (Ta), 34H (Tc) 1W (Ta) V-DFN3333-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMT10H015LCG-7 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 250µA
Fabricante Diodes Incorporated	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 33.3 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1871 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 9.4H (Ta), 34H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor V-DFN3333-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 15mOhm a 20A, 10V	Número de producto base DMT10

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

DMT10H015LCG-7