Name: DMP26M1UPSW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP26M1UPSW-13-ND
Price: 0.32381 USD
Availability: OutOfStock

DMP26M1UPSW-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMP26M1UPSW-13-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP26M1UPSW-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie, lateral humedecible 20 V 83A (Tc) 1.9W (Ta), 2.6W (Tc) PowerDI5060-8 (típico UX)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	83A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6mOhm a 15A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	164 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5392 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.9W (Ta), 2.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerDI5060-8 (típico UX)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	DMP26

DMP26M1UPSW-13