Name: DMP1022UFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP1022UFDF-7DITR-ND
Price: 0.8 USD
Availability: InStock

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DMP1022UFDF-7
N.º de producto de DigiKey	DMP1022UFDF-7DITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMP1022UFDF-7DICT-ND - Cinta cortada (CT) DMP1022UFDF-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMP1022UFDF-7
Descripción	MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 9.5 A (Ta) 730mW (Ta) U-DFN2020-6 (típico F)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMP1022UFDF-7 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15.3mOhm a 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	800mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	48.3 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2712 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	730mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	U-DFN2020-6 (típico F)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-UDFN
Número de producto base	DMP1022