Diodos Schottky de carburo de silicio (EliteSiC)

onsemi presenta los diodos Schottky de carburo de silicio (EliteSiC) que utilizan una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad que el silicio. Sin corriente de recuperación inversa, con características de conmutación independiente de la temperatura y funcionamiento térmico excelente hace que el carburo de silicio sea la próxima generación de semiconductores de potencia. Las ventajas del sistema incluyen mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápido, mayor densidad de energía, reducción de EMI y tamaño y costo del sistema reducidos. onsemi ofrece dispositivos de 650 V y 1200 V en un rango de corriente y opciones de paquete que demandan a la funda en términos de eficiencia y densidad de energía para diseños de sistemas de generación de energía.