MOSFET PowerTrench®
Los MOSFET de la serie T10 de onsemi en un encapsulado compacto de 5 mm x 6 mm ofrecen una carga de puerta total baja y características de recuperación mejoradas.
Los MOSFET PowerTrench de onsemi representan un salto en eficiencia y rendimiento. La transición de T6/T8 a T10 se ha caracterizado por mejoras sustanciales en la resistencia en estado encendido y el rendimiento de conmutación, que son fundamentales para los diseños sensibles a la energía. La serie T10 presenta una resistencia en estado encendido óptima en un encapsulado compacto de 5 mm x 6 mm, lo que ofrece una carga total de puerta inferior y características de recuperación mejoradas. Esto se traduce en menos energía desperdiciada en forma de calor, mayor fiabilidad y mejor rendimiento en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.
Los MOSFET T10 presentan una mayor capacidad de corriente y energía de avalancha, lo que garantiza su robustez en condiciones extremas. Estos avances no son solo incrementales, sino transformadores, ya que permiten crear dispositivos electrónicos más compactos, eficientes y potentes. Desde convertidores de CC/CC hasta accionamientos de motores, la tecnología PowerTrench ha establecido los estándares de lo que es posible en soluciones de gestión de energía.
- Reducción de las pérdidas de conmutación a frecuencias más altas
- Mejor disipación del calor
- Pérdidas de conducción mejoradas gracias a una menor RDS(ON)
- Paquetes más pequeños y con mayor densidad de potencia
- MOSFET T10 de 40 V a 80 V cualificados por AEC
- Entre un 30 % y un 40 % de reducción de Rsp frente a la generación anterior
- Reducción de 2x en Qg, Qsw y Qoss
- Diodo de recuperación más blando y menor Qrr
- 10% más de capacidad de IEU
- Centros de datos
- Etapas de conversión de potencia CC/CC
- Uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes
PowerTrench® MOSFETs
| Imagen | Número de pieza del fabricante | Descripción | Cantidad disponible | Precio | Ver detalles | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NTMFS0D4N04XMT1G | 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA | 2069 - Inmediata | $3.49 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS0D5N04XMT1G | 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA | 1045 - Inmediata | $3.22 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS0D6N04XMT1G | 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA | 0 - Inmediata | $2.99 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS0D7N04XMT1G | 40V T10M IN S08FL PACKAGE | 666 - Inmediata | $2.37 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS1D1N04XMT1G | 40V T10M IN S08FL PACKAGE | 826 - Inmediata | $2.27 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS1D3N04XMT1G | 40V T10M IN S08FL PACKAGE | 6528 - Inmediata 1039500 - Stock en fábrica | $1.93 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS2D3N04XMT1G | 40V T10M IN S08FL PACKAGE | 1321 - Inmediata | $1.57 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS3D1N04XMT1G | 40V T10M IN S08FL PACKAGE | 1435 - Inmediata 10500 - Stock en fábrica | $1.33 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFWS1D5N08XT1G | MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE | 3402 - Inmediata | $3.91 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS2D1N08XT1G | T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL | 1844 - Inmediata | $3.04 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS2D5N08XT1G | T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL | 2620 - Inmediata | $2.75 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS3D0N08XT1G | T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL | 1762 - Inmediata | $2.55 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS3D5N08XT1G | T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL | 7749 - Inmediata | $2.18 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS4D0N08XT1G | T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL | 1551 - Inmediata | $1.93 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTBLS0D8N08XTXG | MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN | 739 - Inmediata | $7.18 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS3D2N10MDT1G | PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE | 55 - Inmediata | $4.21 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTMFS4D2N10MDT1G | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | 167 - Inmediata | $3.22 | Ver detalles |
![]() | ![]() | NTTFS012N10MDTAG | PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8 | 21 - Inmediata | $2.22 | Ver detalles |










