MOSFET de baja/media tensión de la serie NTMFS4D

onsemi presenta los MOSFET de potencia de canal N de baja / media tensión de la serie NTMFS4D que están diseñados para aplicaciones de alto rendimiento, como accionamientos de motor, protección de baterías y rectificación síncrona. Estos dispositivos cuentan con valores bajos de R_DS(ON) líderes en la industria, de hasta 3,9 mΩ, lo que minimiza las pérdidas de conducción y mejora la eficiencia general del sistema. Con valores nominales de tensión de hasta 80 V y capacidades de manejo de corriente que superan los 100 A en algunas variantes, la serie NTMFS4D ofrece un rendimiento robusto en encapsulados DFN5 (5 mm x 6 mm) compactos, lo que los hace ideales para diseños con limitaciones de espacio.

La serie NTMFS4D, diseñada con recuperación de diodo de cuerpo blando y características de baja carga de puerta de enlace, reduce las pérdidas por conmutación y los picos de tensión, eliminando la necesidad de circuitos de amortiguación externos. Estos MOSFET cumplen la directiva RoHS, no contienen halógenos y están optimizados para ofrecer un rendimiento térmico con una resistencia de unión a carcasa tan baja como 3,5 °C/W. Tanto si se utiliza en convertidores CC/CC aislados como en controladores de motor de alta eficiencia, la serie NTMFS4D ofrece a los diseñadores una solución fiable y eficiente para las exigentes aplicaciones de gestión de potencia.