Estos MOSFET de canal N de alto rendimiento de Nexperia están diseñados para una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones. Estos MOSFET utilizan la tecnología TrenchMOS para ofrecer un rendimiento y una fiabilidad superiores. Están disponibles en encapsulados compactos LFPAK56 y LFPAK88, lo que los hace ideales para diseños con limitaciones de espacio. Con características como alta corriente de drenaje de pico, baja RDS(ON) y alta temperatura de unión de funcionamiento, estos MOSFET son adecuados para una amplia gama de aplicaciones, como rectificación síncrona, convertidores CC/CC, control de motores y sistemas de gestión de potencia. La serie PSMN ofrece opciones de accionamiento de compuertas tanto de nivel lógico como de nivel estándar, lo que proporciona flexibilidad para diferentes requisitos de diseño. Estos MOSFET también están homologados hasta +175 °C, lo que garantiza un rendimiento sólido en entornos exigentes.
Características
- MOSFET de canal N
- Voltaje de drenaje-fuente máximo de 100 V
- Baja RDS(ON) de 53 mΩ (PSMN047-100NSE)
- Baja RDS(ON) de 82 mΩ (PSMN071-100NSE)
- SOA mejorada
- Encapsulado compacto DFN2020
- 60 % más pequeño que el paquete LFPAK33
- Pérdidas de conducción bajas I2R
- Muy baja fuga de IDSS
- Capacidad PoE de alta potencia (60 W y superior)
- Interruptor de carga tolerante a fallos
- Gestión eficaz de las corrientes de entrada
- Ideal para aplicaciones de BF
- Reemplazo fiable de relés
- Gestión térmica robusta
Aplicaciones
- Sistemas PoE
- IEEE802.3at y soluciones PoE propietarias
- Gestión de irrupciones
- Aplicaciones de fusibles electrónicos
- Sistemas de gestión de batería
- Reemplazo de relés
- Puntos de acceso Wi-Fi®
- Picocélulas 5G
- Sistemas de CCTV
- Interruptores de carga del lado alto
- Automatización industrial
- Equipos de telecomunicaciones
- Centros de datos
- Infraestructura de red
- Electrónica para el consumidor
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Estos MOSFET de canal N de alto rendimiento de Nexperia están diseñados para una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones. Estos MOSFET utilizan la tecnología TrenchMOS para ofrecer un rendimiento y una fiabilidad superiores. Están disponibles en encapsulados compactos LFPAK56 y LFPAK88, lo que los hace ideales para diseños con limitaciones de espacio. Con características como alta corriente de drenaje de pico, baja RDS(ON) y alta temperatura de unión de funcionamiento, estos MOSFET son adecuados para una amplia gama de aplicaciones, como rectificación síncrona, convertidores CC/CC, control de motores y sistemas de gestión de potencia. La serie PSMN ofrece opciones de accionamiento de compuertas tanto de nivel lógico como de nivel estándar, lo que proporciona flexibilidad para diferentes requisitos de diseño. Estos MOSFET también están homologados hasta +175 °C, lo que garantiza un rendimiento sólido en entornos exigentes.
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