MOSFET de medio puente LFPAK56D

Los MOSFET de medio puente LFPAK56D de Nexperia ofrecen una inductancia parásita un 60 % menor y un rendimiento térmico mejorado

La serie de MOSFET de medio puente (lado alto y lado bajo) de Imagen de los MOSFET de medio puente LFPAK56D de NexperiaNexperia se construye en el formato de paquete LFPAK56D que ahorra espacio. Estos MOSFET ocupan un área de placa de CI un 30 % menor en comparación con los MOSFET duales para topologías de control de motores trifásicos debido a la eliminación de pistas de la placa de CI, al mismo tiempo que permiten una inspección óptica automatizada (AOI) simple durante la producción. El medio puente LFPAK56D utiliza procesos de ensamblaje LFPAK56D de alto volumen existentes con confiabilidad automotriz probada. El formato del paquete utiliza cables flexibles para mejorar la confiabilidad general. Una conexión de clip de cobre interno entre los MOSFET simplifica los diseños de la placa de CI y brinda una solución de estilo plug-and-play con una capacidad de manejo de corriente excepcional.

Características
  • Inductancia parásita 60 % menor debido a la conexión de clip interna
  • 30 % de ahorro de espacio en la placa de CI en comparación con LFPAK56D dual
  • ID de alto rendimiento máx. >60 A
  • Resistencia térmica baja
Aplicaciones
  • Herramientas eléctricas de mano, electrodomésticos portátiles y aplicaciones con limitaciones de espacio
  • Accionamientos de motor de CC sin escobillas o cepillados
  • Sistemas de CC a CC
  • Iluminación LED

LFPAK56D Half-Bridge MOSFETs

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56DPSMN013-40VLDXMOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D5858 - Inmediata$2.45Ver detalles
MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56DPSMN4R2-40VSHXMOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D2926 - Inmediata$3.17Ver detalles
Publicado: 2021-07-30