IXYS

Kit de placa de evaluación de controlador de compuerta para diodos y MOSFET de potencia SiC

La placa de evaluación del controlador de compuerta de IXYS, una tecnología de Littelfuse, analiza los impactos a nivel de sistema de los diseños de SiC.

Imagen del kit de placa de evaluación de SiC de MOSFET de potencia y controlador de compuerta de diodoIXYS, una tecnología de Littelfuse, ha desarrollado una placa de evaluación de controlador de compuerta para diodos y MOSFET de carburo de silicio. El sistema GDEV consiste en una placa base en la que se pueden insertar placas de módulo de controlador de compuerta, lo que permite a los usuarios analizar los impactos a nivel del sistema asociados con los diseños basados en SiC. Ofrece la capacidad de comparar el rendimiento de diferentes soluciones de configuración de medio puente del controlador de compuerta en condiciones de prueba bien definidas y optimizadas. Además, el GDEV ofrece probar circuitos de conducción de compuerta en condiciones de trabajo continuo para evaluar el rendimiento térmico del controlador de compuerta y la inmunidad a EMI.

Recursos

Características
  • Evaluar el funcionamiento continuo de los MOSFET de potencia de SiC y los diodos bajo voltaje nominal y corriente nominal
  • Comparar el rendimiento de diferentes soluciones de controladores de compuerta en condiciones de prueba bien definidas y optimizadas
  • Probar los circuitos de control de compuerta en condiciones de trabajo continuas para evaluar el rendimiento térmico del controlador de compuerta y la inmunidad a EMI
  • Analizar los impactos a nivel del sistema en los diseños de SiC
    • Mejoras de eficiencia
    • Emisiones de EMI
    • Componentes pasivos (tamaño, costo y peso)

SiC Power MOSFET and Diode Gate Drive Evaluation Board Kit

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
EVAL BOARD FOR SIC DIODESLF-SIC-EVB-GDEV1EVAL BOARD FOR SIC DIODES0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles

Associated Littelfuse SiC Power Products

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263LSIC2SD065D10ADIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263428 - Inmediata
2400 - Stock en fábrica		$5.36Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3LSIC1MO120E0080SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3369 - Inmediata$19.43Ver detalles
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3LSIC1MO120E0120SICFET N-CH 1200V 27A TO247-30 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3LSIC1MO120E0160SICFET N-CH 1200V 22A TO247-32221 - Inmediata
1350 - Stock en fábrica		$11.79Ver detalles
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3LLSIC1MO170E1000SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L0 - Inmediata$3.55Ver detalles

Associated IXYS SiC Power Products

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227BIXFN50N120SICSICFET N-CH 1200V 47A SOT227B0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
SICFET N-CH 1200V 48A SOT227BIXFN50N120SKSICFET N-CH 1200V 48A SOT227B0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227BIXFN70N120SKSICFET N-CH 1200V 68A SOT227B0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AAMCB60I1200TZ-TUBSICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SMPDMCB40P1200LB-TUBMOSFET 2N-CH 1200V 55A SMPD0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
MOSFET 2N-CH 900V SOT227BIXFN130N90SKMOSFET 2N-CH 900V SOT227B0 - InmediataSee Page for PricingVer detalles
MOSFET 2N-CH 1200V SOT227BIXFN27N120SKMOSFET 2N-CH 1200V SOT227B0 - Inmediata$34.38Ver detalles
SICFET N-CH 1700V 90A SOT227BIXFN90N170SKSICFET N-CH 1700V 90A SOT227B0 - Inmediata$278.04Ver detalles
Publicado: 2019-12-17

Related Videos

1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET
1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

Fecha de publicación: 2019-07-24

Taking SiC Mainstream: The Story of Littelfuse Power Semiconductors
Taking SiC Mainstream: The Story of Littelfuse Power Semiconductors

Fecha de publicación: 2019-07-24

Littelfuse LSIC1MO120E0080 Mosfet | DigiKey Daily
Littelfuse LSIC1MO120E0080 Mosfet | DigiKey Daily

Fecha de publicación: 2018-02-08

Related Product Highlight

Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) - Serie LSIC2SD Los diodos Schottky de SiC de la serie LSIC2SD de Littelfuse tienen una corriente de recuperación inversa insignificante, una alta capacidad de sobretensión y una temperatura de unión operativa máxima de 175 ºC.
MOSFET de carburo de silicio (SiC) de conmutación ultrarrápida - Serie LSIC1MO La estructura del dispositivo MOSFET de la serie LSIC1MO de Littelfuse permite pérdidas de conmutación por ciclo más bajas y una eficiencia de carga ligera mejorada que los IGBT de clasificación similar.
Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 650 V - Serie LSIC2SD065 La serie LSIC2SD065 de Littelfuse admite reducciones en las pérdidas de conmutación y aumenta la eficiencia y la solidez de un sistema de electrónica de potencia.

Related Articles and Blogs

Optimice la eficiencia de las SMPS con un enfoque multitecnológico Los MOSFET de SiC, los tiristores activados por MOS y los rectificadores de Littelfuse permiten diseños SMPS eficientes y confiables para cargadores de vehículos eléctricos, inversores solares y accionamientos de motor.
Los semiconductores de banda prohibida reconfiguran el mundo del transporte Todo el sector del transporte está experimentando una transformación radical con soluciones para coches eléctricos e híbridos y un transporte de masas más limpio.
Semiconductores de amplio salto energético en aplicaciones aeroespaciales y de satélites Los semiconductores de amplio salto energético aportan varias ventajas a la conversión de potencia, como el aumento de la densidad de potencia y la eficiencia, y la reducción del tamaño y el peso del sistema.