MCB60I1200TZ-TUB IXYS | Productos de semiconductores discretos

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MCB60I1200TZ-TUB
N.º de producto de DigiKey	238-MCB60I1200TZ-TUB-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	MCB60I1200TZ-TUB
Descripción	SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 1200 V 90A (Tc) TO-268AA (D3Pak-HV)
Modelos EDA/CAD	MCB60I1200TZ-TUB Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	34mOhm a 50A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 15mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	160 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+20V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2790 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-268AA (D3Pak-HV)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-268-3, D3PAK (2 conductores + pestaña), TO-268AA
Número de producto base	MCB60I1200