LSIC1MO170E1000 Littelfuse Inc. | Productos de semiconductores discretos

LSIC1MO170E1000 es obsoleto y ya no se fabrica.

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LSIC1MO170E1000
N.º de producto de DigiKey	F11760-ND
Fabricante	Littelfuse Inc.
Número de pieza del fabricante	LSIC1MO170E1000
Descripción	SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1700 V 5A (Tc) 54W (Tc) TO-247AD
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Littelfuse Inc.
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1700 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1Ohm a 2A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	200 pF @ 1000 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AD
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3