MOSFET y diodos CoolSiC™ de carburo de silicio

Infineon presenta los diodos Schottky CoolSiC que proporcionan una resistencia en estado activo y una corriente de fuga relativamente altas. En material de SiC, los diodos Schottky pueden alcanzar un voltaje disruptivo mucho más alto. La cartera está compuesta por diodos Schottky CoolSiC, modelos híbridos CoolSiC, módulos CoolSiC MOSFET y dispositivos discretos, además de circuitos integrados de controlador de compuerta EiceDRIVER™ para controlar dispositivos de carburo de silicio.

La cartera de productos SiC Schottky de Infineon cubre diodos Schottky de 600 V y 650 V a 1200 V. La combinación de un interruptor rápido basado en silicio con un diodo CoolSiC Schottky a menudo se denomina solución híbrida. En los últimos años, Infineon ha fabricado varios millones de módulos híbridos y los ha visto instalados en varios productos de clientes, como dispositivos solares y UPS. Los MOSFET CoolSiC están construidos sobre un concepto de trinchera de vanguardia que establece un punto de referencia, permitiendo bajas pérdidas en la aplicación y alta confiabilidad en la operación.