
IMW65R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMW65R027M1HXKSA1 |
Descripción | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 47H (Tc) 189W (Tc) PG-TO247-3-41 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMW65R027M1HXKSA1 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5.7V a 11mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (máx.) +23V, -5V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2131 pF @ 400 V |
Estado de pieza No para diseños nuevos | Disipación de potencia (Máx.) 189W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-41 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 34mOhm a 38.3A, 18V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 191 | 691-MSC015SMA070B-ND | $17.88000 | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $15.53000 | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | $12.26000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $16.91000 | $16.91 |
| 30 | $10.26633 | $307.99 |
| 120 | $8.81092 | $1,057.31 |
| 510 | $7.74549 | $3,950.20 |
| 1,020 | $7.35713 | $7,504.27 |





