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Los módulos de potencia VS-SF50xA120 y VS-SFxx0SA120 de Vishay Semiconductor Diodes incorporan un MOSFET de SiC integrado con un diodo de cuerpo blando que ofrece una baja recuperación inversa.
Vishay Intertechnology presenta cuatro módulos rectificadores Gen 2 Trench MOS Barrier Schottky (TMBS®) de 100 V en el compacto encapsulado SOT-227 totalmente aislado.
Los módulos de alimentación VS-MPY038P120/VS-MPX075P120 MAACPAK PressFit de Vishay Semiconductor aumentan la eficiencia y la fiabilidad de las aplicaciones de media y alta frecuencia.
Diodos de protección ESD de una y dos líneas VGSOT*
Fecha de publicación: 2025-08-29
Los diodos de protección ESD de una y dos líneas VGSOT* de Vishay garantizan una disipación de calor más eficiente que los dispositivos de la generación anterior.
Supresores de voltaje transitorio de montaje en superficie PAR® T15BxxA y T15BxxCA
Fecha de publicación: 2025-08-18
Los supresores de voltaje transitorio PAR de montaje en superficie T15BxxA y T15BxxCA de Vishay ahorran espacio en la placa y reducen los costos en aplicaciones automotrices.
Rectificadores estándar y TMBS de montaje superficial
Fecha de publicación: 2025-04-17
Los rectificadores estándar y TMBS de montaje superficial de Vishay ofrecen soluciones de ahorro de espacio y alta eficiencia.
Diodo Schottky de carburo de silicio
Fecha de publicación: 2025-03-26
Los diodos Schottky de carburo de silicio de Vishay son ideales para conmutaciones duras extremas de alta velocidad en un amplio rango de temperaturas.
Diodos de barrera Schottky de carburo de silicio VS-SCx
Fecha de publicación: 2025-02-12
Los diodos de barrera Schottky de carburo de silicio VS-SCx de Vishay están fabricados con la tecnología de oblea delgada más avanzada.
Information from Vishay on improved thermal performance and efficiency high-current ratings to 9 A.
Vishay's soldering recommendations for power DFN packages.
Information on Vishay's surface-mount TMBS and standard rectifiers.
Rectificadores V6N3M103-M3/I y V6N3M103HM3/I TMBS®
Fecha de publicación: 2024-12-03
Los rectificadores V6N3M103-M3/I y V6N3M103HM3/I TMBS® de Vishay presentan un encapsulado DFN33A de bajo perfil con flancos mojables lateralmente.
Módulos puente de carburo de silicio VS-SCx0BA120
Fecha de publicación: 2024-11-21
Los módulos puente de carburo de silicio Vishay VS-SCx0BA120 utilizan la avanzada tecnología de diodos Schottky de SiC.
Rectificadores Hyperfast FRED Pt Gen 7 de 1,200 V
Fecha de publicación: 2024-10-31
Los rectificadores hyperfast FRED Pt Gen 7 de 1,200 V de Vishay ofrecen una capacitancia de unión y un tiempo de recuperación bajos.
Uso de diodos MPS SiC para minimizar las pérdidas en fuentes de alimentación de modo de conmutación de alta frecuencia.
Fecha de publicación: 2024-09-19
SiC utiliza un diseño PIN Schottky fusionado que mejora la eficacia y fiabilidad de los sistemas de alimentación de conmutación al proporcionar una alta capacidad de corriente con bajas pérdidas.
Diodo de protección ESD de la serie VETH100A1DD1
Fecha de publicación: 2024-08-28
Los diodos de protección ESD de la serie VETH100A1DD1 de Vishay cumplen las especificaciones 100Base-T1 y 1000Base-T1 de OPEN Alliance.
Diodos schottky SiC de 1.200 V Gen 3
Fecha de publicación: 2024-06-27
Los diodos schottky SiC de 1.200 V Gen 3 de Vishay presentan una menor caída de voltaje directo, carga capacitiva y corriente de fuga inversa.
Diodos de barrera schottky de carburo de silicio
Fecha de publicación: 2024-04-22
Los diodos carrier schottky de carburo de silicio de Vishay prácticamente no presentan cola de recuperación ni pérdidas por conmutación.
Diodos TVS en encapsulado DFN3820A
Fecha de publicación: 2024-04-04
Los diodos TVS de Vishay en un encapsulado DFN3820A ofrecen una potencia pulsatoria máxima de 600 A a 10/1.000 μs y una baja corriente de fuga de hasta 1 μA.
Diodos de recuperación suave ultrarrápida VS-VSUD505CW60 y VS-VSUD510CW60 FRED Pt
Fecha de publicación: 2024-03-25
Los diodos de recuperación suave VS-VSUD505CW60 y VS-VSUD510CW60 de Vishay ofrecen una esperanza de vida mejorada con respecto a los dispositivos de la generación anterior.
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