Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Diodo Schottky de carburo de silicio

Los diodos Schottky de carburo de silicio de Vishay son idóneos para aplicaciones exigentes

Imagen de los diodos Schottky de carburo de silicio de VishayLos diodos Schottky PIN fusionados SiC de potencia Gen 3de Vishay son diodos basados en carburo de silicio SiC con separación de banda ancha. Están diseñados para ofrecer un alto rendimiento y resistencia, por lo que resultan ideales para conmutaciones duras de alta velocidad extrema en un amplio rango de temperaturas. Estos diodos son especialmente adecuados para aplicaciones exigentes, como diodos de arranque y antiparalelos en convertidores CA/CC y CC/CC.

Características
  • Encapsulados de montaje superficial de bajo perfil: disponibles en SMPD con una altura típica de 1,7 mm y SlimDPAK con una altura típica de 1,3 mm.
  • Distancia de fuga de alta tensión: hasta 3,7 mm, lo que garantiza un funcionamiento seguro a altas tensiones
  • VF y eficiencia mejorados: gracias a la tecnología de oblea delgada, que mejora el rendimiento general.
  • Bajo VF x Q C: lo que resulta en una baja disipación de potencia, lo que hace que el diodo sea más eficiente.
  • Temperatura de unión de funcionamiento de hasta +175 °C
  • Fiabilidad cualificada: probada durante 2,000 horas de polarización inversa a alta temperatura (HTRB) y 2,000 ciclos de ciclos de temperatura (TC), lo que garantiza la fiabilidad a largo plazo.
  • Coeficiente de temperatura de VF positivo: facilita la conexión en paralelo de diodos
  • Comportamiento de conmutación invariable en función de la temperatura: garantiza un rendimiento constante en un amplio rango de temperaturas
  • Encapsulado D2PAK 2L: presenta un compuesto de moldeo con un alto índice de seguimiento comparativo (CTI mayor o igual a 600), que permite el funcionamiento a tensiones elevadas según la norma IEC 60664-1.
  • Prácticamente sin cola de recuperación y sin pérdida de conmutación que ayuda a garantizar un rendimiento eficiente
  • Cumple con el nivel 1 de MSL según J-STD-020, y pico máximo de LF de +260 ºC
  • Estructura MPS de alta resistencia a sobretensiones de corriente directa
  • Cumple la prueba de bigote JESD 201 clase 2 para ayudar a garantizar la fiabilidad
  • Categorización de materiales para definiciones y cumplimiento de normas
Aplicaciones
  • Diodos de arranque: se utilizan en circuitos para proporcionar una tensión superior a la tensión de alimentación.
  • Diodos antiparalelos: se utilizan en convertidores de CA/CC y CC/CC para mejorar la eficacia y el rendimiento.
  • Convertidores: ideales para su uso en convertidores de CA/CC y CC/CC gracias a su capacidad de conmutación de alta velocidad.

Silicon Carbide Schottky Diodes

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónVoltaje - Pico invertido (Máx.)Corriente - Máx.Cantidad disponiblePrecioVer detalles
RECTIFIER, SIC, 1200V, 1A, SINGLVS-3C01EJ12-M3/HRECTIFIER, SIC, 1200V, 1A, SINGL1200V1 A7574 - Inmediata$1.15Ver detalles
RECTIFIER, SIC, 650V, 2A, SINGLEVS-3C02EJ07-M3/HRECTIFIER, SIC, 650V, 2A, SINGLE650V2 A3380 - Inmediata$1.08Ver detalles
RECTIFIER, SIC, 1200V, 2A, SINGLVS-3C02EJ12-M3/HRECTIFIER, SIC, 1200V, 2A, SINGL1200V2 A6789 - Inmediata$1.22Ver detalles
Publicado: 2025-03-26