VideoLibrary

On board Chargers in Electric Vehicles

This video will highlight STs discrete portfolio that addresses requirements for the on board charger (OBC) for electric vehicle.

6/10/2020 1:50:07 PM

Part List

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220STPSC20H065CTYDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-22030 - Inmediata$6.88Ver detalles
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3STPSC20H12CWYDIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3112 - Inmediata$14.02Ver detalles
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3STPSC20H065CWYDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-31165 - Inmediata$7.51Ver detalles
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAKSTPSC10H065GY-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK178 - Inmediata$4.12Ver detalles
SCR 1.2KV 30A TO-247-3TN3050H-12WYSCR 1.2KV 30A TO-247-3555 - Inmediata$5.78Ver detalles
SCR 1.2KV 30A D2PAKTN3050H-12GY-TRSCR 1.2KV 30A D2PAK418 - Inmediata$5.38Ver detalles

Related Videos

Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles
Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles

Fecha de publicación: 2020-06-10

STMicroelectronics Automotive-grade Thyristor | DigiKey Daily
STMicroelectronics Automotive-grade Thyristor | DigiKey Daily

Fecha de publicación: 2017-05-03

Related Product Highlight

SCR de alta temperatura serie TN Los SCR de alta temperatura de la serie TN de STMicroelectronics ofrecen espacio para un disipador más pequeño y un mayor control de la carga.
Tiristor automotriz series TN3050H-12WY / TN3050H-12GY-TR Tiristores de 1200 V de grado automotriz serie TN3050H-12WY / TN3050H-12GY-TR de STMicroelectronics con clasificación a 150° C TJ y para la conmutación de potencia de 30 A RMS.
MOSFET K5 de 900 V Mayor potencia y mayor eficiencia utilizando los últimos MOSFET de súper unión K5 de 900 V serie MDmesh™ de STMicroelectronics.

Related Articles and Blogs

Los semiconductores de banda prohibida reconfiguran el mundo del transporte Todo el sector del transporte está experimentando una transformación radical con soluciones para coches eléctricos e híbridos y un transporte de masas más limpio.
Semiconductores de amplio salto energético en aplicaciones aeroespaciales y de satélites Los semiconductores de amplio salto energético aportan varias ventajas a la conversión de potencia, como el aumento de la densidad de potencia y la eficiencia, y la reducción del tamaño y el peso del sistema.
2023 May be the Year You Try Silicon Carbide: Here’s Why Silicon carbide is coming down in cost and can support the development of smaller and more efficient power conversion solutions compared with silicon.