MoSys

MoSys, Inc. ha desarrollado productos basados en memoria durante casi 20 años. Comenzó con el desarrollo de la memoria IP 1-T (transistor). La 1 T-SRAM tiene velocidades de acceso cercanas a la SRAM pero admite una densidad que se aproxima a la de una RLDRAM. La mayoría de los fabricantes de memoria se han centrado en las características de memoria de velocidad o densidad con la creencia de que un modelo único para todos. Como parte de la evolución de la memoria de MoSys, se identificaron tareas comunes realizadas en muchos sistemas y se agregaron como funciones inteligentes en memoria a la memoria para ejecutarse más rápidamente. Esto creó la familia de motores de acelerador.

Estos motores de acelerador son grandes memorias de alta velocidad, ahora con funciones de acelerador en memoria opcionales cuyo uso depende de aplicaciones donde se necesitan niveles más altos de rendimiento, cada motor de acelerador es una combinación de capacidades: 1) Memoria de alta capacidad de 576 Mb o 1.152 Gb con un tRC de 3.2 ns; 2) Funciones integradas de alta velocidad en memoria (inteligencia), que incluyen BURST y RMW; y 3) un controlador RTL de alto ancho de banda proporcionado por MoSys.

La familia Blazar de motores de acelerador ofrece un opciones de aceleración de diseño/rquitectura que abarca opciones de software y hardware que ningún producto de la competencia puede ofrecer.