Image of Peraso Accelerator Bandwidth Engine: High Performance/High Bandwidth

Accelerator Bandwidth Engine: High Performance/High Bandwidth

Peraso

This presentation will briefly review the accelerator engine product family offered by Peraso.

Related Parts

ImagenNúmero de pieza del fabricanteDescripciónCantidad disponiblePrecioVer detalles
IC SRAM 1GBIT PAR 1512FCBGAMSQ230AGE-1512IC SRAM 1GBIT PAR 1512FCBGA20 - Inmediata$632.78Ver detalles
IC SRAM 1GBIT PAR 2512FCBGAMSQ230AGE-2512IC SRAM 1GBIT PAR 2512FCBGA18 - Inmediata$693.04Ver detalles
IC RAM 512MBIT PARALLEL 288FCBGAMSQ220AJC288-10IC RAM 512MBIT PARALLEL 288FCBGA40 - Inmediata$364.81Ver detalles
IC SRAM 1GBIT PAR 676BGAMSR830AGC-1512IC SRAM 1GBIT PAR 676BGA0 - Inmediata$627.03Ver detalles
IC SRAM 576MBIT PAR 324PBGAMSR820AJC288-12IC SRAM 576MBIT PAR 324PBGA0 - Inmediata$444.29Ver detalles
IC SRAM 1GBIT PAR 676BGAMSR630AGC-1512IC SRAM 1GBIT PAR 676BGA0 - Inmediata$567.63Ver detalles
IC SRAM 576MBIT PAR 324PBGAMSR622AJC288-12IC SRAM 576MBIT PAR 324PBGA24 - Inmediata$378.57Ver detalles
IC SRAM 512MBIT PAR 288FCBGAMSQ220AJC288-12IC SRAM 512MBIT PAR 288FCBGA40 - Inmediata$385.46Ver detalles
PTM Published on: 2021-08-11

Related Product Highlight

Memoria QUAZAR™ QPR4™ de 576 Mb y QPR8 de 1 Gb La familia de memorias QUAZAR™ de Peraso son memorias de alta velocidad, circuitos integrados de alta capacidad que admiten un gran ancho de banda de hasta 640 Gb/seg, así como velocidades rápidas de acceso aleatorio.
Motores de aceleración BLAZAR BE2-BURST/BE3-BURST BLAZAR BE2/BE3 BURST de Peraso tienen 576 Mb y 1.152 Gb de memoria de alto rendimiento con funciones en memoria para un mayor movimiento de datos y eficiencia de transferencia.
Motores de aceleración BLAZAR BE2-RMW/BE3-RMW BLAZAR BE2-RMW y BE3-RMW de Peraso tienen 576 Mb y 1.152 Gb de memoria de alto rendimiento para un mayor movimiento de datos, informática y decisión.

Related Product Training Modules

Bandwidth Engine Memory Architecture Peraso's partitioned, parallel array memories deliver the high capacity and low power of embedded DRAM with the performance and ease of use of traditional (6T) SRAM.