Módulos IGBT

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo IGBT	Configuración	Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	Potencia - Máx.	Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic	Corriente - Corte de colector (Máx.)	Capacitancia de entrada (Cies) a Vce	Entrada	Termistor NTC	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
APT60GA60JD60 IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP Microchip Technology	1,248 En stock	1 : $29.71000 Tubo	POWER MOS 8™	Tubo	Activo	PT	Simple	600 V	112 A	356 W	2.5V a 15V, 62A	275 µA	8.01 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	ISOTOP®
IXYN100N120C3H1 IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B IXYS	345 En stock	1 : $40.18000 Tubo	XPT™, GenX3™	Tubo	Activo	-	Simple	1200 V	134 A	690 W	3.5V a 15V, 100A	50 µA	6 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXYN110N120C4H1 1200V, 110A, XPT GEN4 C4 CO-PACK IXYS	226 En stock	1 : $43.66000 Tubo	XPT™	Tubo	Activo	Zanja	Simple	1200 V	210 A	830 W	2.4V a 15V, 110A	50 µA	5420 pF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	301 En stock	1 : $45.04000 Tubo	HEXFRED®	Tubo	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	281 A	1087 W	2.05V a 15V, 100A	100 µA	9.35 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227
IXDN75N120 IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B IXYS	323 En stock	1 : $46.48000 Tubo	-	Tubo	Activo	NPT	Simple	1200 V	150 A	660 W	2.7V a 15V, 75A	4 mA	5.5 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXGN100N170 IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B IXYS	282 En stock	1 : $56.93000 Tubo	-	Tubo	Activo	NPT	Simple	1700 V	160 A	735 W	3V a 15V, 100A	50 µA	9.22 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W Infineon Technologies	82 En stock	1 : $88.91000 Bandeja	-	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	400 A	2400 W	2.1V a 15V, 400A	5 mA	28 nF @ 25 V	Estándar	Sí	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FZ600R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3000W Infineon Technologies	30 En stock	1 : $108.72000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	-	Simple	1200 V	600 A	3000 W	2.1V a 15V, 600A	5 mA	1.7 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 125°C	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF300R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 450A 1600W Infineon Technologies	62 En stock	1 : $113.50000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	450 A	1600 W	2.15V a 15V, 300A	5 mA	19 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF400R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 500A 1250W Infineon Technologies	27 En stock	1 : $133.29000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	600 V	500 A	1250 W	1.9V a 15V, 400A	5 mA	-	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF450R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2400W Infineon Technologies	29 En stock	1 : $137.46000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	450 A	2400 W	2.15V a 15V, 450A	5 mA	28 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FZ600R17KE4HOSA1 IGBT MOD 1700V 1200A 3350W Infineon Technologies	44 En stock	1 : $141.64000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1700 V	1200 A	3350 W	2.3V a 15V, 600A	1 mA	49 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 4300W Infineon Technologies	82 En stock	1 : $155.73000 Bandeja	C	Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	900 A	4300 W	2.1V a 15V, 900A	5 mA	56 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Infineon Technologies	90 En stock	1 : $664.79000 Caja	HybridPACK™	Caja	Activo	-	Inversor trifásico	750 V	1.15 kA	1 kW	1.21V a 15V, 600A	1 mA	60800 pF @ 50 V	Estándar	No	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	-
IXXN200N60B3 IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B IXYS	129 En stock	1 : $28.97000 Tubo	XPT™, GenX3™	Tubo	Activo	PT	Simple	600 V	280 A	940 W	1.7V a 15V, 100A	50 µA	9.97 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
IXXN110N65B4H1 IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B IXYS	233 En stock	1 : $29.49000 Tubo	XPT™, GenX4™	Tubo	Activo	PT	Simple	650 V	215 A	750 W	2.1V a 15V, 110A	50 µA	3.65 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GN120JDQ3 IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP Microchip Technology	116 En stock	1 : $36.10000 Tubo	-	Tubo	Activo	Parada de campo de trinchera	Simple	1200 V	124 A	379 W	2.1V a 15V, 75A	200 µA	4.8 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	ISOTOP	ISOTOP®
IXYN120N120C3 IGBT MOD 1200V 240A SOT227B IXYS	183 En stock	1 : $40.89000 Tubo	XPT™, GenX3™	Tubo	Activo	-	Simple	1200 V	240 A	1200 W	3.2V a 15V, 120A	25 µA	-	Estándar	No	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B - miniBLOC
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B IXYS	1,611 En stock	1 : $43.31000 Tubo	GenX3™	Tubo	Activo	PT	Simple	600 V	320 A	735 W	1.25V a 15V, 100A	150 µA	18 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
APT75GP120JDQ3 IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP Microchip Technology	890 En stock	1 : $47.16000 Tubo	POWER MOS 7®	Tubo	Activo	PT	Simple	1200 V	128 A	543 W	3.9V a 15V, 75A	1.25 mA	7.04 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	ISOTOP	ISOTOP®
IXGN400N60B3 IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B IXYS	266 En stock	1 : $50.12000 Tubo	GenX3™	Tubo	Activo	PT	Simple	600 V	430 A	1000 W	1.4V a 15V, 100A	100 µA	31 nF @ 25 V	Estándar	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	SOT-227-4, miniBLOC	SOT-227B
VS-40MT120PHAPBF MTP - HALF BRIDGE IGBT Vishay General Semiconductor - Diodes Division	39 En stock	1 : $61.08000 Tubo	-	Tubo	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	1200 V	75 A	305 W	2.65V a 15V, 40A	50 µA	3.2 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Orificio pasante	Módulo 12-MTP	12-MTP
FP35R12W2T4B11BOMA1 IGBT MOD 1200V 54A 215W Infineon Technologies	18 En stock 40 Mercado	1 : $64.72000 Bandeja 6 : $50.58000 Granel	-	Granel Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Inversor trifásico	1200 V	54 A	215 W	2.25V a 15V, 35A	1 mA	2 nF @ 25 V	Estándar	Sí	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	6 En stock 164 Mercado	1 : $98.16000 Bandeja 4 : $93.42000 Granel	C	Granel Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Medio puente	600 V	260 A	680 W	1.9V a 15V, 200A	5 mA	-	Estándar	No	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo
FF150R12KE3GB2HOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 150A Infineon Technologies	15 En stock 190 Mercado	1 : $104.12000 Bandeja 3 : $100.25000 Granel	C	Granel Bandeja	Activo	Parada de campo de trinchera	Inversor de medio puente	1200 V	225 A	780 W	2.15V a 15V, 150A	5 mA	11 nF @ 25 V	Estándar	No	-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaje de chasis	Módulo	Módulo

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Los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) son dispositivos semiconductores de potencia de tres terminales usados principalmente como interruptores electrónicos que combinan una alta eficiencia con una rápida conmutación. Como módulos, los IGBT se configuran como puentes asimétricos, puentes completos, inversores de tres niveles y trifásicos, y pulsadores reductores, elevadores y de freno. Algunos cuentan con termistores NTC incorporados para monitorear la temperatura. Los módulos IGBT se diferencian por la potencia máxima, la corriente del colector, el voltaje de interrupción del colector-emisor y la configuración.

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