W66BQ6NBUAFJ Winbond Electronics | Memoria

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W66BQ6NBUAFJ
N.º de producto de DigiKey	256-W66BQ6NBUAFJ-ND
Fabricante	Winbond Electronics
Número de pieza del fabricante	W66BQ6NBUAFJ
Descripción	IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
Referencia del cliente
Descripción detallada	SDRAM - LPDDR4X móvil Memoria IC 2Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA (10x14.5)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria	Interfaz de memoria LVSTL_11
Fabricante Winbond Electronics	Frecuencia de reloj 1.6 GHz
Embalaje Bandeja	Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 18ns
Estado de pieza Obsoleto	Tiempo de acceso 3.5 ns
DigiKey programable No verificado	Voltaje de la fuente 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Tipo de memoria Volátil	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 105°C (TC)
Formato de la memoria DRAM	Tipo de montaje Montaje en superficie
Tecnología SDRAM - LPDDR4X móvil	Paquete / Caja (carcasa) 200-WFBGA
del programa 2Gbit	Paquete del dispositivo del proveedor 200-WFBGA (10x14.5)
Organización de la memoria 128M x 16	Número de producto base W66BQ6

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Documentos y medios

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Recursos adicionales

Obsoleto

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