SQS401EN-T1_GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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SQS401EN-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQS401EN-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQS401EN-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 16H (Tc) 62.5W (Tc) PowerPAK® 1212-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQS401EN-T1_GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21.2 nC @ 4.5 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1875 pF @ 20 V
Embalaje Cinta y rollo (TR)	Disipación de potencia (Máx.) 62.5W (Tc)
Estado de pieza Obsoleto	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 16H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 29mOhm a 12A, 10V	Número de producto base SQS401
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA

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Sustitutos (2)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SQS401EN-T1_BE3	Vishay Siliconix	24,023	742-SQS401EN-T1_BE3CT-ND	$1.56000	Directo
SQS411ENW-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	SQS411ENW-T1_GE3CT-ND	$1.43000	Directo

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SQS401EN-T1_GE3