Name: SQJ431AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ431AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.36 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SQJ431AEP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQJ431AEP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQJ431AEP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQJ431AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ431AEP-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ431AEP-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	305mOhm a 3.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8
Número de producto base	SQJ431