Name: SQJ123ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJ123ELP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.3 USD
Availability: InStock

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SQJ123ELP-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQJ123ELP-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQJ123ELP-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQJ123ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQJ123ELP-T1_GE3
Descripción	AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 238A (Tc) 375W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQJ123ELP-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	238A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4mOhm a 10A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	180 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	11680 pF @ 6 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8