SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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Canal P Montaje en superficie 40 V 4.1A (Tc) 3W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)

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SQ2389ES-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ2389ES-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ2389ES-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ2389ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ2389ES-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 4.1A (Tc) 3W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 10 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 420 pF @ 20 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Tc)
Estado de pieza Discontinuo en DigiKey	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.1A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 94mOhm a 10A, 10V	Número de producto base SQ2389
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA

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N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
SQ2389ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	93,526	742-SQ2389ES-T1_BE3CT-ND	$1.13000	Directo
SQ2389CES-T1_GE3	Vishay Siliconix	0	742-SQ2389CES-T1_GE3CT-ND	$0.73000	MFR recomendado

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