SQ2351ES-T1_BE3 Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

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Vishay Siliconix

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Precio por unidad : $0.67000

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SQ2351ES-T1_BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQ2351ES-T1_BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQ2351ES-T1_BE3CT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ2351ES-T1_BE3
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 3.2A (Tc) 2W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs (máx.) ±12V
Serie TrenchFET®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 330 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Tc)
Estado de pieza Obsoleto	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.2A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5V, 4.5V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 115mOhm a 2.4A, 4.5V	Número de producto base SQ2351
Vgs(th) (máx) a Id 1.5V a 250µA