SQ2303ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Productos de semiconductores discretos

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SQ2303ES-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ2303ES-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ2303ES-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ2303ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ2303ES-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 2.5A (Tc) 1.9W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	170mOhm a 1.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	210 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	SQ2303