Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.25 USD
Availability: InStock

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SISS23DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISS23DN-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SISS23DN-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.5mOhm a 20A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	8840 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-50°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 1212-8S
Número de producto base	SISS23