Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.6 USD
Availability: InStock

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SISS23DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISS23DN-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SISS23DN-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 900mV a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 300 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (máx.) ±8V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8840 pF @ 15 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8S
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 50A (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8S
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V	Número de producto base SISS23
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.5mOhm a 20A, 4.5V