
SISH536DN-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISH536DN-T1-GE3 |
Descripción | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 24.7A (Ta), 67.4A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) PowerPAK® 1212-8SH |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.25mOhm a 10A, 10V |
Fabricante | Vgs(th) (máx) a Id 2.2V a 250µA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25 nC @ 10 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Vgs (máx.) +16V, -12V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1150 pF @ 15 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8SH |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.10000 | $1.10 |
| 10 | $0.68700 | $6.87 |
| 100 | $0.44870 | $44.87 |
| 500 | $0.34618 | $173.09 |
| 1,000 | $0.31316 | $313.16 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.27120 | $813.60 |
| 6,000 | $0.25007 | $1,500.42 |
| 9,000 | $0.23930 | $2,153.70 |
| 15,000 | $0.22721 | $3,408.15 |
| 21,000 | $0.22005 | $4,621.05 |
| 30,000 | $0.21309 | $6,392.70 |





