
SIS435DNT-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SIS435DNT-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS435DNT-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS435DNT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIS435DNT-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8 |
Plazo estándar del fabricante | 27 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 20 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 39W (Tc) PowerPAK® 1212-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIS435DNT-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 1.8V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 5.4mOhm a 13A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 900mV a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 180 nC @ 8 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 5700 pF @ 10 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 3.7W (Ta), 39W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.17000 | $1.17 |
| 10 | $0.73400 | $7.34 |
| 100 | $0.48250 | $48.25 |
| 500 | $0.37434 | $187.17 |
| 1,000 | $0.33950 | $339.50 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.29524 | $885.72 |
| 6,000 | $0.27295 | $1,637.70 |
| 9,000 | $0.26160 | $2,354.40 |
| 15,000 | $0.25000 | $3,750.00 |










