Name: SIRS4301DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS4301DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.75 USD
Availability: InStock

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SIRS4301DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIRS4301DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIRS4301DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIRS4301DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIRS4301DP-T1-GE3
Descripción	P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 53.7A (Ta), 227A (Tc) 7.4W (Ta), 132W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIRS4301DP-T1-GE3 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.3V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 255 nC @ 4.5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 19750 pF @ 15 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 7.4W (Ta), 132W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 53.7A (Ta), 227A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® SO-8
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.5mOhm a 20A, 10V	Número de producto base SIRS4301