
SIR416DP-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIR416DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIR416DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIR416DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIR416DP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8 |
Plazo estándar del fabricante | 38 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 40 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) PowerPAK® SO-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIR416DP-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 3.8mOhm a 15A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 90 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3350 pF @ 20 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 5.2W (Ta), 69W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.03000 | $2.03 |
| 10 | $1.29100 | $12.91 |
| 100 | $0.86980 | $86.98 |
| 500 | $0.68912 | $344.56 |
| 1,000 | $0.63099 | $630.99 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.55721 | $1,671.63 |
| 6,000 | $0.52009 | $3,120.54 |
| 9,000 | $0.50118 | $4,510.62 |
| 15,000 | $0.48750 | $7,312.50 |







