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SIHG33N65EF-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHG33N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG33N65EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 31.6A (Tc) 313W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 171 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4026 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 313W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247AC |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 109mOhm a 16.5A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (8)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH099N60E | onsemi | 0 | FCH099N60E-ND | $0.00000 | Similar |
| FCH104N60F | onsemi | 450 | FCH104N60F-ND | $8.37000 | Similar |
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | 310 | IPW60R099CPAFKSA1-ND | $9.25000 | Similar |
| IXFR64N60Q3 | IXYS | 30 | IXFR64N60Q3-ND | $46.89000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $8.65000 | $8.65 |
| 25 | $5.15360 | $128.84 |
| 100 | $4.32050 | $432.05 |
| 500 | $3.65424 | $1,827.12 |
| 1,000 | $3.47625 | $3,476.25 |
