FCH099N60E onsemi | Productos de semiconductores discretos

FCH099N60E es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

MFR recomendado

onsemi

En stock: 207

Precio por unidad : $6.08000

Similar

Rohm Semiconductor

En stock: 541

Precio por unidad : $7.04000

Similar

STMicroelectronics

En stock: 200

Precio por unidad : $6.57000

Similar

Taiwan Semiconductor Corporation

En stock: 2,055

Precio por unidad : $9.59000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

FCH099N60E
N.º de producto de DigiKey	FCH099N60E-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FCH099N60E
Descripción	MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FCH099N60E Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	SuperFET® II
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	37A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	99mOhm a 18.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	114 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3465 pF @ 380 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	357W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	FCH099