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Canal N Montaje en superficie 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) TO-263 (D2PAK)
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Canal N Montaje en superficie 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N60E-GE3

N.º de producto de DigiKey
SIHB12N60E-GE3-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
SIHB12N60E-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Plazo estándar del fabricante
15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) TO-263 (D2PAK)
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Atributos del producto
Filtrar productos similares
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Fabricante
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
58 nC @ 10 V
Embalaje
Granel
Vgs (máx.)
±30V
Estado de pieza
Activo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
937 pF @ 100 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
147W (Tc)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Paquete / Caja (carcasa)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
380mOhm a 6A, 10V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (12)
N.° de piezaFabricante Cantidad disponibleN.º de producto de DigiKey Precio por unidad Tipo de reemplazo
SIHB12N60ET1-GE3Vishay Siliconix0SIHB12N60ET1-GE3-ND$1.03180Equivalente paramétrico
SIHB12N60ET5-GE3Vishay Siliconix0SIHB12N60ET5-GE3-ND$1.03180Equivalente paramétrico
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Granel
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$3.01000$3.01
10$1.94400$19.44
100$1.33840$133.84
500$1.07940$539.70
1,000$0.99616$996.16
2,000$0.92618$1,852.36
5,000$0.85050$4,252.50
10,000$0.83750$8,375.00
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