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SIHB12N60ET1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB12N60ET1-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB12N60ET1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 12A TO263 |
Plazo estándar del fabricante | 17 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 12H (Tc) 147W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 58 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Granel | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 937 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 147W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 380mOhm a 6A, 10V |
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Sustitutos (4)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPB60R380C6ATMA1CT-ND | $2.16000 | Similar |
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6011KNJTLCT-ND | $3.29000 | Similar |
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6015ANJTL-ND | $3.17086 | Similar |
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | 0 | 846-R6015FNJTLTR-ND | $1.78518 | Similar |
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| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 800 | $1.03180 | $825.44 |
