Name: SI1427EDH-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1427EDH-T1-GE3TR-ND
Price: 0.64 USD
Availability: InStock

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SI1427EDH-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI1427EDH-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI1427EDH-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI1427EDH-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI1427EDH-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Plazo estándar del fabricante	38 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 2H (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) SC-70-6
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 64mOhm a 3A, 4.5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21 nC @ 8 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±8V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-6
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V	Número de producto base SI1427

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SI1427EDH-T1-GE3