IRF9610STRR Vishay Siliconix | FET simple, MOSFET

IRF9610STRR
N.º de producto de DigiKey	IRF9610STRR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	IRF9610STRR
Descripción	MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 200 V 1.8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3Ohm a 900mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	170 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRF9610

IRF9610STRR