Name: XSM6J372NW,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XSM6J372NWLXHFTR-ND
Price: 0.38 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

Canal P Montaje en superficie, lateral humedecible 30 V 6H (Ta) 1.51W (Ta) DFN2020B

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XSM6J372NW,LXHF
N.º de producto de DigiKey	264-XSM6J372NWLXHFTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-XSM6J372NWLXHFCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-XSM6J372NWLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	XSM6J372NW,LXHF
Descripción	P-CH MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.04
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie, lateral humedecible 30 V 6H (Ta) 1.51W (Ta) DFN2020B
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 42mOhm a 4A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx) a Id 1.2V a 1mA
Serie U-MOSVI	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.2 nC @ 4.5 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +6V, -12V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 560 pF @ 15 V
Tipo FET Canal P	Disipación de potencia (Máx.) 1.51W (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor DFN2020B
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-UDFN