Name: TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND
Price: 1.8 USD
Availability: InStock

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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
N.º de producto de DigiKey	264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Descripción	MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 8A (Ta) 27W (Tc) DPAK+
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	104mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	890 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	27W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK+
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	TJ8S06