Name: TJ15P04M3,RQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ15P04M3RQ(STR-ND
Price: 1.73 USD
Availability: InStock

TJ15P04M3,RQ(S
N.º de producto de DigiKey	264-TJ15P04M3RQ(STR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TJ15P04M3RQ(SCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TJ15P04M3RQ(SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TJ15P04M3,RQ(S
Descripción	MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 15 A (Ta) 29W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TJ15P04M3,RQ(S Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	36mOhm a 7.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1100 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	TJ15P04

TJ15P04M3,RQ(S