STW36NM60ND es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

Similar


Infineon Technologies
En stock: 44
Precio por unidad : $6.97000
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 230
Precio por unidad : $8.38000
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 790
Precio por unidad : $7.84000
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 98
Precio por unidad : $5.54000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 3,889
Precio por unidad : $9.40000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 6
Precio por unidad : $28.70000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $18.81613
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 232
Precio por unidad : $20.54000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 30
Precio por unidad : $39.15000
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $16.39663
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $10.47827
Hoja de datos

Similar


IXYS
En stock: 38
Precio por unidad : $28.51000
Hoja de datos

Similar


Vishay Siliconix
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


Vishay Siliconix
En stock: 467
Precio por unidad : $7.01000
Hoja de datos
Canal N Orificio pasante 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) TO-247-3
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

STW36NM60ND

N.º de producto de DigiKey
497-13888-5-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
STW36NM60ND
Descripción
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STW36NM60ND Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
110mOhm a 14.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2785 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos.