Name: RS1G120MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G120MNTBTR-ND
Price: 0.9 USD
Availability: InStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RS1G120MNTB
N.º de producto de DigiKey	RS1G120MNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RS1G120MNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RS1G120MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS1G120MNTB
Descripción	MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 12H (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RS1G120MNTB Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 9.4 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 570 pF @ 20 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSOP
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16.2mOhm a 12A, 10V	Número de producto base RS1G